FF6MR12W2M1HB11BPSA1 1200 V、6 mΩ 半橋模塊，采用 CoolSiC? MOSFET、NTC 溫度傳感器和 PressFIT 觸點技術(shù)。還可提供熱界面材料。

產(chǎn)品屬性

系列： CoolSiC?  

技術(shù)： 碳化硅（SiC）  

配置：2 個 N 通道（半橋）  

FET 功能： 碳化硅（SiC）  

漏源電壓（Vdss）： 1200V（1.2kV）  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：145A（Tj）  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 5.4 毫歐 @ 150A，18V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 5.15V @ 60mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 446nC @ 18V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） ：13200pF @ 800V  

功率 - 最大值： 20mW  

工作溫度： -40°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型 ：底座安裝  

封裝/外殼： 模塊  

供應(yīng)商器件封裝 ：模塊  

基本產(chǎn)品編號： FF6MR12

應(yīng)用領(lǐng)域

不間斷電源（UPS）

單相組串式逆變器解決方案

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