DDB6U134N16RRBPSA1 IGBT硅模塊具有1.35V電壓（100A正向電壓時(shí)）和500W功率耗散。這些器件的最大工作溫度范圍為-40°C至+150°C。英飛凌DDB6U134N16RRBPSA1 IGBT硅模塊采用45mm x 107.5mm x 20.5mm（寬 x 長 x 高）封裝。

產(chǎn)品屬性

配置： 單斬波器  

電壓 - 集射極擊穿（最大值）： 1200 V  

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）： 70 A  

功率 - 最大值： 500 W  

不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)（最大值）： 2.75V @ 15V，70A  

電流 - 集電極截止（最大值）： 500 μA  

不同 Vce 時(shí)輸入電容 (Cies)： 5.1 nF @ 25 V  

輸入： 標(biāo)準(zhǔn)  

NTC 熱敏電阻： 是  

工作溫度： 150°C（TJ）  

安裝類型： 底座安裝  

封裝/外殼：模塊  

供應(yīng)商器件封裝： AG-ECONO2B  

基本產(chǎn)品編號(hào)： DDB6U134

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