ISC230N10NM6ATMA1 100V功率MOSFET采用SuperSO8封裝，優(yōu)化用于電信和太陽能等高頻開關應用，其中損耗與充電（開關）和導通電阻（導通）相關。此外，得益于同類最佳的RDS(on) 和更寬的安全工作區(qū) (SOA)，該器件還非常適合用于電池供電應用 (BPA) 和電池管理系統(tǒng) (BMS)。

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：100 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：7.7A（Ta）， 31A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：23 毫歐 @ 10A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.3V @ 13μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：9.3 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：690 pF @ 50 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3W（Ta）， 48W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-TDSON-8 FL

封裝/外殼：8-PowerTDFN

基本產(chǎn)品編號：ISC230N

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