ISC080N10NM6ATMA1是一款OptiMOS? 6 100V功率MOSFET器件，采用PG-TDSON-8封裝，優(yōu)化用于電信和太陽(yáng)能等高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用，其中損耗與充電（開(kāi)關(guān)）和導(dǎo)通電阻（導(dǎo)通）相關(guān)。與OptiMOS? 5技術(shù)相比，Infineon 領(lǐng)先的薄晶圓技術(shù)顯著提高了性能。

產(chǎn)品規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：100 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：13A（Ta）， 75A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：8.05 毫歐 @ 20A， 10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：3.3V @ 36μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：24 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1800 pF @ 50 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3W（Ta），100W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-TDSON-8 FL

封裝/外殼：8-PowerTDFN

基本產(chǎn)品編號(hào)：ISC080N

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