IAUZ40N06S5L050ATMA1 60V汽車級OptiMOS?-5 MOSFET器件具有低漏源導(dǎo)通電阻、低柵極電荷和低柵極電容，可最大限度地降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗。應(yīng)用范圍包括通用汽車應(yīng)用、直流-直流系統(tǒng)、LED照明、無線充電、ADAS、CAV (24V)應(yīng)用。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：90A（Tj）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：5 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 29μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：36.7 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±16V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2500 pF @ 30 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：71W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-TSDSON-8-33

封裝/外殼：8-PowerTDFN

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