NVH4L045N065SC1 650V SiC MOSFET具有低導(dǎo)通電阻，采用緊湊的芯片尺寸，可確保低電容和低柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss）： 650 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：55A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V，18V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 50 毫歐 @ 15A，18V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 4.3V @ 8mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 105 nC @ 18 V  

Vgs（最大值）： +22V，-8V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 1870 pF @ 325 V    

功率耗散（最大值）： 187W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型： 通孔  

供應(yīng)商器件封裝：TO-247-4L  

封裝/外殼： TO-247-4

典型應(yīng)用

車載充電器

用于電動汽車/混合動力汽車的車載 DC-DC 轉(zhuǎn)換器

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