NVMFD5C478NWFT1G是采用先進(jìn)的功率溝槽工藝（結(jié)合屏蔽柵極技術(shù)）生產(chǎn)的30V、40V和60V MOSFET。該工藝經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度地降低導(dǎo)通電阻，另外還采用出色的軟體二極管，可保持卓越的開關(guān)性能。采用各種小尺寸封裝選項(xiàng)，可提高設(shè)計靈活性。

產(chǎn)品屬性

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

配置：2 N-通道（雙）

漏源電壓（Vdss）：40V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：9.8A（Ta），27A（Tc）

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：17 毫歐 @ 7.5A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 20μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：6.3nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：325pF @ 25V

功率 - 最大值：3.1W（Ta），23W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：8-PowerTDFN

供應(yīng)商器件封裝：8-DFN（5x6）雙標(biāo)記（SO8FL-雙通道）

應(yīng)用

● ORing

● 電機(jī)驅(qū)動器

● 直流-直流轉(zhuǎn)換器

● 功率負(fù)載開關(guān)

● 電池管理

● 高端計算

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