NTHL060N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。MOSFET具有低導(dǎo)通電阻，采用緊湊的芯片尺寸，可確保低電容和低柵極電荷。因此，系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)包括最高效率、更快工作頻率、更高功率密度、更低EMI以及更小的系統(tǒng)尺寸。

產(chǎn)品屬性

FET 類(lèi)型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：47A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：70 毫歐 @ 20A，18V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4.3V @ 6.5mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：74 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+22V，-8V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1473 pF @ 325 V

功率耗散（最大值）：176W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類(lèi)型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247-3

封裝/外殼：TO-247-3

應(yīng)用

● 開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS)

● 太陽(yáng)能逆變器

● 不間斷電源 (UPS)

● 量存儲(chǔ)能

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