IQE013N04LM6SC 6功率MOSFET是先進(jìn)的下一代創(chuàng)新性器件，性能極為出色。OptiMOS 6系列采用薄晶圓技術(shù)，顯著提升了性能。與同類(lèi)產(chǎn)品相比，OptiMOS 6功率MOSFET的RDS(ON)降低了30％，并針對(duì)同步整流進(jìn)行了優(yōu)化。另外，該器件保持了輸出更高功率的優(yōu)勢(shì)，其中RDS(on) 損耗顯著降低，從而在整個(gè)工作范圍內(nèi)進(jìn)一步提高了性能。

產(chǎn)品屬性

FET 類(lèi)型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：31A（Ta），205A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：1.35 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2V @ 51μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：41 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：3800 pF @ 20 V

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），107W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類(lèi)型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-WHSON-8-1

封裝/外殼：8-PowerWDFN

應(yīng)用

● SMPS

● 服務(wù)器

● 電信

● 充電器

● 驅(qū)動(dòng)器

● 遙控直升機(jī)

● 無(wú)線(xiàn)充電

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  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間，具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫(kù)、您所選擇的物流方式而定。

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  答：可以為個(gè)人用戶(hù)開(kāi)具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶(hù)開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。