IPF016N10NF2S StrongIRFET? 2 單 N 溝道功率 MOSFET 100 V，采用 D2PAK 7 引腳封裝。

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類: MOSFET

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-7

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V

Id-連續(xù)漏極電流: 274 A

Rds On-漏源導通電阻: 1.6 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V

Qg-柵極電荷: 161 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降時間: 33 ns

正向跨導 - 最小值: 133 S

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 65 ns

工廠包裝數(shù)量:  800

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 60 ns

典型接通延遲時間: 25 ns

應用

電源管理（SMPS）

適配器

電機驅(qū)動

電池供電應用

電池管理

不間斷電源

輕型電動汽車

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