IPT014N08NM5 是英飛凌 1.4 mOhm、80 V OptiMOS? 功率 MOSFET， 采用 TO-Leadless (TOLL) 封裝，具有 331 A 的高電流能力 (ID @25 ?C)。

產(chǎn)品屬性

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 80 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：37A（Ta），331A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 1.4 毫歐 @ 150A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 3.8V @ 280μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 200 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 14000 pF @ 40 V  

功率耗散（最大值）： 300W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝： PG-HSOF-8-1  

封裝/外殼： 8-PowerSFN  

產(chǎn)品應(yīng)用

無人機

輕型電動車

低壓驅(qū)動器

電信

服務(wù)器

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