BSC350N20NSFD N 通道具有正常電平，額定溫度為175°C，是優(yōu)秀的柵極充電 x RDS（導(dǎo)通）產(chǎn)品（FOM），具有極低的低電阻 RDS（導(dǎo)通），采用無鉛鍍層；符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，并通過 JEDEC1 目標(biāo)應(yīng)用認(rèn)證，半高頻開關(guān)和同步校正。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：35A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：35 毫歐 @ 35A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 90μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：30 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2410 pF @ 100 V

功率耗散（最大值）：150W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-TDSON-8-1

封裝/外殼：8-PowerTDFN

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