IMW120R020M1H 1200V SIC 溝槽式MOSFET將碳化硅的強(qiáng)大物理特性與提高器件性能、可靠性和易用性的獨(dú)特特性結(jié)合在一起。CoolSiC 1200V SIC溝槽式MOSFET基于先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體，經(jīng)過(guò)優(yōu)化可提供最低應(yīng)用損耗和最高運(yùn)行可靠性。    這些器件適用于在高溫和惡劣環(huán)境中運(yùn)行，能夠以最高的系統(tǒng)效率實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)化和經(jīng)濟(jì)高效的部署。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：98A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：26.9 毫歐 @ 41A，18V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：5.2V @ 17.6mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：83 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+20V，-5V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：3460 nF @ 25 V

功率耗散（最大值）：375W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO247-3

封裝/外殼：TO-247-3

應(yīng)用

● 光伏逆變器 (PV)

● 能量存儲(chǔ)和電池充電

● 不間斷電源 (UPS)

● 開關(guān)模式電源 (SMPS)

● 工業(yè)驅(qū)動(dòng)器

● 醫(yī)療

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