BUK9Y1R3-40HX N通道40V Trench 9 MOSFET具有較高的功率密度和效率，RDSon范圍為1.3mΩ，具有出色的單觸發(fā)或重復(fù)性雪崩性能。該MOSFET符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，且超越了這一國(guó)際汽車級(jí)標(biāo)準(zhǔn)的要求。

規(guī)格

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: LFPAK-56-5

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 190 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.3 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 16 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.05 V

Qg-柵極電荷: 99 nC

最小工作溫度: - 55°C

最大工作溫度: + 175°C

Pd-功率耗散: 395 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

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