BUK7S2R5-40HJ  40V N溝道MOSFET采用最新的Trench 9低電阻超級結(jié)技術(shù)，采用銅夾LFPAK88封裝。該產(chǎn)品經(jīng)過全面設(shè)計和認證，可滿足AEC-Q101的要求，提供高性能和高可靠性。

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：140A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：2.51 毫歐 @ 25A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：54 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：+20V，-10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3793 pF @ 25 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：135W（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：LFPAK88（SOT1235）

封裝/外殼：SOT-1235

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