IMZA120R007M1H采用TO247-4封裝的1200V 7mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先進(jìn)的溝槽工藝，該工藝經(jīng)過(guò)優(yōu)化兼具性能與可靠性。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有諸多優(yōu)勢(shì)，例如1200 V開(kāi)關(guān)器件中最低的柵極電荷和器件電容、體二極管沒(méi)有反向恢復(fù)損耗、關(guān)斷損耗受溫度影響小以及沒(méi)有拐點(diǎn)電壓的導(dǎo)通特性。因此，CoolSiC?碳化硅 MOSFET非常適用于硬開(kāi)關(guān)和諧振開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如功率因素校正（PFC）電路、雙向拓?fù)湟约癉C-DC轉(zhuǎn)換器或DC-AC逆變器。

英飛凌推出的、采用TO247-4封裝的SiC MOSFET 可降低柵極電路上的源極寄生電感效應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)速度和更高的效率。

產(chǎn)品屬性

FET 類(lèi)型：N 通道  

技術(shù)： SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss）： 1200 V  

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：225A（Tc）  

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V，18V  

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）： 9.9 毫歐 @ 108A，18V  

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）： 5.2V @ 47mA  

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）： 220 nC @ 18 V  

Vgs（最大值）： +20V，-5V  

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）： 9170 nF @ 25 V  

功率耗散（最大值）： 750W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類(lèi)型： 通孔  

供應(yīng)商器件封裝： PG-TO247-4-8  

封裝/外殼： TO-247-4

應(yīng)用領(lǐng)域

不間斷電源（UPS）

電池化成

電動(dòng)汽車(chē)快速充電

電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)

太陽(yáng)能系統(tǒng)解決方案

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  答：可以為個(gè)人用戶(hù)開(kāi)具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶(hù)開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。