IPDD60R125G7功率MOSFET采用創(chuàng)新型無引線SMD TO (TOLL) 封裝（采用開爾文源極概念）。G7 MOSFET將經(jīng)過改進的600V和650V CoolMOS? G7技術、4引腳開爾文源極功能以及無引線TO封裝的更高熱性能相結合。因此，該SMD解決方案適合用于大電流硬開關拓撲，如高達3kW的功率因數(shù)校正 (PFC)。600V CoolMOS? G7 MOSFET可用于高端LLC等諧振電路。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：20A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：125 毫歐 @ 6.4A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 320μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：27 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1080 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：120W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-HDSOP-10-1

封裝/外殼：10-PowerSOP 模塊

應用

● 電信

● 服務器

● 太陽能

● 工業(yè)SMPS

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