IPW60R099C7功率MOSFET標(biāo)志著技術(shù)的革命性進(jìn)步，它實(shí)現(xiàn)了低RDS(on)/封裝，而且，由于其開關(guān)損耗低，故在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)提高效率。C7系列優(yōu)化用于太陽能、服務(wù)器、電信和UPS等應(yīng)用中的硬開關(guān)拓?fù)洌ㄈ绻β室驍?shù)校正 (CCM PFC)、雙晶體管正激 (TTF) 和太陽能升壓）。該系列器件具有650V擊穿電壓，因此適合用于需要額外安全裕度的太陽能和開關(guān)模式電源 (SMPS) PFC級(jí)。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：14A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：99 毫歐 @ 9.7A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4V @ 490μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：42 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1819 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：110W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO247-3

封裝/外殼：TO-247-3

應(yīng)用

● 用于高功率/高性能的 PFC 級(jí)和 PWM 級(jí)（TTF，LLCSMPS，如計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、電信、UPS 和太陽能

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