NTMFS10N3D2C N 溝道 MV MOSFET 采用安森美半導(dǎo)體先進(jìn)的 PowerTrench 工藝生產(chǎn)，采用了屏蔽柵極技術(shù)。該工藝經(jīng)過優(yōu)化，以最大限度地減小導(dǎo)通電阻，同時(shí)保持出色的開關(guān)性能，同時(shí)具有同類最佳的軟體二極管。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：100 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：151A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：3.2 毫歐 @ 67A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4V @ 370μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：84 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：6215 pF @ 50 V

功率耗散（最大值）：138W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：Power56

封裝/外殼：8-PowerTDFN

應(yīng)用

● 初級(jí) DC-DC MOSFET

● DC-DC 和 AC-DC 中的同步整流器

● 電機(jī)驅(qū)動(dòng)

● 太陽能

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