IPQC60R010S7A是一款高壓功率MOSFET，針對(duì)高端應(yīng)用（斷路器和橋式整流器中的二極管并聯(lián)/更換）中的低開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化。

產(chǎn)品規(guī)格
FET類型：N通道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏極-源極電壓（Vdss）：600 V
電流-25°C時(shí)的連續(xù)漏極（Id）:50A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大Rds開(kāi)，最小Rds開(kāi)）：12V
Rds On（Max）@Id，Vgs:10歐姆@50A，12V
Vgs（th）（最大值）@Id:4.5V@3.08mA
柵極電荷（Qg）（最大）@Vgs:318nC@12V
Vgs（最大）：±20V
功耗（最大）：694W（Tc）
工作溫度：-40°C~150°C（TJ）
安裝類型：表面安裝
封裝/外殼：PG-HDSOP-22，22 PowerBSOP模塊

芯片集成電路 IPQC60R010S7A  FETs MOSFETs晶體管 PG-HDSOP-22

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  答：可以通過(guò)網(wǎng)站上詢價(jià)，也可以通過(guò)電話以及郵箱咨詢。

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  答：可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。