IGT60R070D1ATMA4-CoolGaN?氮化鎵HEMT具有諸多優(yōu)勢，包括超高效率、可靠性、功率密度以及相對于硅的極高質量。CoolGaN晶體管采用極為可靠的技術，設計用于實現(xiàn)開關模式電源中的超高效率和功率密度。

產(chǎn)品屬性

FET 類型： N 通道  

技術： GaNFET（氮化鎵）  

漏源電壓（Vdss）： 600 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 31A（Tc）  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 1，6V @ 2，6mA  

Vgs（最大值）： -10V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 380 pF @ 400 V  

功率耗散（最大值）： 125W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應商器件封裝： PG-HSOF-8-3  

封裝/外殼： 8-PowerSFN

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