商品名稱：VS-ENM040M60P
品牌：VISHAY
年份：24+
封裝：Module
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
VS-ENM040M60P 采用 PressFit 插針，使用方便。裸露的基板提高了散熱性能。優(yōu)化的布局還有助于最大限度地減少雜散參數(shù)，從而實現(xiàn)更好的 EMI 性能。
特性
E 系列功率 MOSFET，帶快速體二極管
MOAT 和 SiC 二極管技術(shù)
晶閘管相位控制
外露式 Al2O3 基底面，熱阻低
低輸入電容
低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗
超低柵極電荷 Qg
低內(nèi)部電感
以 AQG324 準則為參考進行鑒定
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
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答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
Vishay 成立于1962，是世界最大的分立半導(dǎo)體和被動元件的制造商之一. Vishay元件用于工業(yè)， 計算機， 汽車， 消費， 電信， 軍事， 航空及醫(yī)療市場的各種類型的電子設(shè)備中。Vishay 的全球足跡包括在中國， 亞洲其他五個國家/地區(qū)， 歐洲及美洲設(shè)立的制造機構(gòu)，以及在全球…
VS-GT75LA60UF
VS-GT75LA60UF - 600V、81A、231W 溝槽現(xiàn)場止動單斬波器 IGBT 模塊，底座安裝 SOT-227VS-GT75LA60UF - 產(chǎn)品描述：VS-GT75LA60UF 是 600V、81A、231W "低側(cè)斬波 "IGBT 模塊，采用 SOT-227 封裝，底座安裝。VS-GT75LA60UF - 主要特性：溝槽式 IGBT 技術(shù)開關(guān)頻率高…
VS-GT100LA65UF
VS-GT100LA65UF - 650V、100A "低側(cè)斬波 "IGBT 模塊，SOT-227VS-GT100LA65UF - 產(chǎn)品屬性：IGBT 類型：溝槽場截止配置：單斬波器電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大值）：650 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：94 A功率 - 最大值：230 WVce(on) （最大值） @ Vge，Ic…
VCNL36826S
VCNL36826S - 帶中斷、VCSEL 和 I2C 接口的接近傳感器產(chǎn)品描述VCNL36826S 在一個小型封裝中集成了一個接近傳感器 (PS) 和一個 VCSEL。它采用 CMOS 工藝將光電二極管、放大器和模數(shù)轉(zhuǎn)換電路集成到單個芯片中。PS 的可編程中斷功能具有獨立的高低閾值，可最大限度地利用微控…
VCNL36828PN3OQ
VCNL36828PN3OQ 是一款完全集成的接近傳感器。它在單個封裝內(nèi)集成了垂直腔表面發(fā)射激光器 (VCSEL)、光電二極管和專用集成電路 (ASIC)。VCNL36828P 專為需要雙從地址、低功耗、小封裝、小窗口尺寸和短距離操作的接近檢測應(yīng)用而開發(fā)。此外，考慮到 1.8 V 的典型額定電源電壓…
VCNL36828P
VCNL36828P - 采用 VCSEL、低空閑電流、I2C 接口和智能雙從屬地址的小型封裝接近傳感器產(chǎn)品描述VCNL36828P 是一款完全集成的接近傳感器。它在單個封裝內(nèi)集成了垂直腔表面發(fā)射激光器 (VCSEL)、光電二極管和專用集成電路 (ASIC)。VCNL36828P 專為需要雙從地址、低功耗、小封…
VCNL40303X01-GS08
VCNL40303X01-GS08接近和環(huán)境光傳感器在一個小型封裝中集成了接近傳感器 (PS)、環(huán)境光傳感器 (ALS) 和大功率IRED。電話咨詢：86-755-83294757
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