商品名稱：MT29F4T08EULEEM4-R:E
品牌：Micron
年份：24+
封裝：132-BGA
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
MT29F4T08EULEEM4-R:E NAND 閃存是高性能、高端耐用和低功耗小型應(yīng)用的理想之選。
規(guī)格
存儲(chǔ)器格式：FLASH
技術(shù)：FLASH - NAND（TLC）
內(nèi)存大小：4 Tbit
存儲(chǔ)器組織：512G x 8
存儲(chǔ)器接口：并行
電壓 - 電源：2.6V ~ 3.6V
工作溫度：0°C ~ 70°C
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：132-BGA
應(yīng)用
物聯(lián)網(wǎng)
汽車
嵌入式應(yīng)用
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
MXIC
WSON-8
90000
FLASH - NAND（SLC） 存儲(chǔ)器 IC 2Gb SPI - 四 I/O 104 MHz 8-WSON（8x6）
ISSI
TSOP-48
2000
NAND閃存 SLC NAND,4Gb (x8, 8bit ECC) 3V,48-pin TSOP (Type I) 12x20mm
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Micron是全球著名的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器方案供應(yīng)商。該公司的存儲(chǔ)器方案被應(yīng)用于計(jì)算機(jī)及外設(shè)、消費(fèi)電子、CAD/CAM、通信、辦公室自動(dòng)化、網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)處理、圖形顯示等。公司1978年組建，總部位于美國(guó)愛德荷州，有員工約16,000人，擁有全球化的生產(chǎn)、銷售網(wǎng)點(diǎn)。目前主要生產(chǎn)DRAM、…
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MT54A16G8080A00AC-32:A 是高性能 HBM2E（High Bandwidth Memory 2nd Enhanced）內(nèi)存組件。
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MT61M256M32JE-12 AAT:A是一款 GDDR6 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）。電話咨詢：86-755-83294757
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