商品名稱：FF2MR12W3M1HB11BPSA1
數(shù)據(jù)手冊：
FF2MR12W3M1HB11BPSA1.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：MODULE
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
FF2MR12W3M1HB11BPSA1 EasyDUAL? 3B 1200 V / 1.44 mΩ半橋模塊，采用具有增強型第一代溝槽技術的CoolSiC? MOSFET、集成式NTC溫度傳感器和PressFIT 壓接技術。
特征
12mm高的同類最佳封裝
將先進的寬禁帶WBG芯片和Easy模塊封裝相結合
極低的模塊雜散電感
較低且一致的柵極電感
非常對稱的內部芯片布局
較寬的反向偏置安全工作區(qū)（RBSOA）
采用增強型第一代溝槽技術的1200 V CoolSiC? MOSFET
擴大了推薦的柵極驅動電壓窗口（+15…+18 V和0…-5 V）
擴展了最大柵源電壓（+23 V 和 -10 V）
過載條件下， Tvjop高達175°C
PressFIT引腳
應用領域
儲能系統(tǒng)
牽引
商用、建筑和農用車輛 (CAV)
伺服電機驅動和控制
太陽能系統(tǒng)解決方案
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IDW10G120C5B一款 1200V、10A 碳化硅（SiC）肖特基二極管，屬于 CoolSiC? 第五代 產品系列，采用 TO-247-3 封裝
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IRF1310NPBF
IRF1310NPBF是一款100V 單 N 通道功率 MOSFET，采用 TO-220 封裝。電話咨詢：86-755-83294757
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