FF3MR12KM1HOSA1 62 mm 1200 V, 3 mΩ半橋模塊，采用CoolSiC? MOSFET芯片。

產(chǎn)品規(guī)格

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）  

配置 ：2 個 N 通道（半橋）  

FET 功能： -  

漏源電壓（Vdss）： 1200V（1.2kV）  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：375A（Tc）  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 2.83 毫歐 @ 375A，15V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 5.15V @ 168mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 1000nC @ 15V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 29800pF @ 25V  

功率 - 最大值： -  

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型： 底座安裝  

封裝/外殼： 模塊  

供應(yīng)商器件封裝： AG-62MM 

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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