汽車IGBT模塊DF11MR12W1M1PB11BPSA1 1200V碳化硅CoolSiC MOSFET

產(chǎn)品介紹

DF11MR12W1M1PB11BPSA1是碳化硅CoolSiC MOSFET模塊，2個N通道（雙）MOSFET陣列。

產(chǎn)品屬性

技術(shù):碳化硅(SiC)

配置:2個N溝道(雙)

漏極至源極電壓（Vdss）：1200V (1.2kV)

電流 - 連續(xù)漏極 (Id) @ 25°C:50A (Tj)

Rds On (Max) @ Id, Vgs:22.5mOhm @ 50A, 15V

Vgs(th)（最大值）@ Id:5.55V @ 20mA

柵極電荷（Qg）（最大值）@ Vgs:124nC @ 15V

輸入電容（Ciss）（最大值） @ Vds:3680pF @ 800V

功率 - 最大:20mW

工作溫度：-40°C ~ 150°C (TJ)

功能特點(diǎn)

集成NTC溫度傳感器

按壓式接觸技術(shù)

由于集成了安裝夾子，所以安裝很牢固

預(yù)涂的熱界面材料

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。