S27KS0642GABHM020 存儲器是具備HyperBus? 接口的高速CMOS自刷新DRAM。 其存儲陣列的內(nèi)部結(jié)構(gòu)類似于DRAM，而外在行為則與SRAM相似。

關(guān)鍵特性：

外形小巧 – FBGA封裝確保了較小的占板空間

低引腳數(shù) – 低引腳數(shù)有助于簡化設(shè)計并降低系統(tǒng)成本

低功耗 – 混合睡眠模式和部分陣列刷新可提高能效

高吞吐量 – 高讀/寫帶寬能最大限度地提高系統(tǒng)性能

這些低功率、高性能、低引腳數(shù)pSRAM適用于需要額外的RAM來緩沖數(shù)據(jù)、音頻、圖像和視頻等的應(yīng)用，或者需要擴展存儲器用作便箋式存儲器，以進行數(shù)據(jù)密集型計算的應(yīng)用。

產(chǎn)品規(guī)格：

存儲器類型：易失

存儲器格式：PSRAM

技術(shù)：PSRAM（偽 SRAM）

存儲容量：64Mbit

存儲器組織：8M x 8

存儲器接口：HyperBus

時鐘頻率：200 MHz

寫周期時間 - 字，頁：35ns

訪問時間：35 ns

電壓 - 供電：1.7V ~ 2V

工作溫度：-40°C ~ 125°C（TA）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：24-VBGA

供應(yīng)商器件封裝：24-FBGA（6x8）

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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