英飛凌 CoolSiC? MOSFET 400 V G2 將高堅固性與超低開關(guān)損耗和導通電阻結(jié)合在一起，同時改善了系統(tǒng)成本。其開發(fā)目的是在 2 級和 3 級硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)中提供出色的功率密度和系統(tǒng)效率。

特性描述

與 650 V SiC MOSFET 相比，F(xiàn)OM 更好

具有低 Qfr 的快速換向穩(wěn)健二極管

低 RDS（導通）溫度依賴性

柵極閾值電壓 VGS(th) = 4.5 V

支持單極驅(qū)動（VGSoff=0）

100% 通過雪崩測試

開關(guān)速度可控性高

高 dV/dt 工作期間過沖小

.XT 互聯(lián)技術(shù)

一流的散熱性能

IMT40R015M2H—CoolSiC? MOSFET 400 V G2，采用 TOLL (PG-HSOF-8) 封裝，15 mΩ

參數(shù)

ID (@25°C) 最大值： 111 A 

最低和最高工作溫度： -55 °C 175 °C 

封裝： PG-HSOF-8 

極性： N 

認證： 工業(yè)級 

RDS (on) (@ Tj = 25°C) ：15 mΩ 

RthJC： 最大 0.44 K/W 

VDS： 最大 400 V 

適用于人工智能服務器 PSU、SMPS、電機控制、可再生能源和儲能以及 D 類放大器中的功率轉(zhuǎn)換。

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