NPN/PNP低VCEsat突破性小信號（BISS）晶體管，采用SOT96-1（SO8）中等功率表面貼裝器件（SMD）塑料封裝。

規(guī)格參數(shù)

晶體管類型 NPN，PNP  

電流 - 集電極 (Ic)（最大值） 7.5A，6.3A  

電壓 - 集射極擊穿（最大值） 20V  

不同 Ib、Ic 時 Vce 飽和壓降（最大值） 275mV @ 375mA， 7.5A， 350mV @ 325mA， 6.5A  

電流 - 集電極截止（最大值） 100nA  

不同 Ic、Vce 時 DC 電流增益 (hFE)（最小值） 250 @ 4A，2V / 150 @ 4A，2V  

功率 - 最大值 2.3W  

頻率 - 躍遷 115MHz，105MHz  

工作溫度 150°C（TJ）  

安裝類型 表面貼裝型  

封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）  

供應商器件封裝 8-SO 

應用

負載開關(guān)

充電電路

電池驅(qū)動設備

電源開關(guān)（如電機、風扇）

電源管理

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