IMBG65R083M1H CoolSiC? MOSFET 650 VSiC MOSFET 采用緊湊型 7 引腳 SMD 封裝，基于先進(jìn)的英飛凌碳化硅溝槽技術(shù)，適于大功率應(yīng)用。 該器件旨在提高系統(tǒng)性能，縮減尺寸，增強(qiáng)可靠性。

IMBG65R083M1H 產(chǎn)品屬性

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss）： 650 V  

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：28A（Tc）  

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 18V  

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）： 111 毫歐 @ 11.2A，18V  

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）： 5.7V @ 3.3mA  

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）： 19 nC @ 18 V  

Vgs（最大值）： +23V，-5V  

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）： 624 pF @ 400 V  

FET 功能： -  

功率耗散（最大值）： 126W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝： PG-TO263-7-12  

封裝/外殼： TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA  

基本產(chǎn)品編號： IMBG65R

潛在應(yīng)用

? 電信服務(wù)器SMPS

? UPS（不間斷電源）

? 太陽能光伏逆變器

? 電動(dòng)充電基礎(chǔ)設(shè)施

? 儲(chǔ)能和電池成型

? 類阻尼放大器

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