IMW65R030M1H 650V CoolSiC? MOSFET 基于先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體技術(shù)，并經(jīng)過優(yōu)化，在毫不折衷的情況下，在應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最低損耗，并在運(yùn)行中實(shí)現(xiàn)最佳可靠性。 此 SiC MOSFET 采用 TO247 3 引腳封裝，以提供經(jīng)濟(jì)高效的性能。

特征描述

低電容

更高電流下經(jīng)過優(yōu)化的開關(guān)行為

具有低反向恢復(fù)電荷 (Qrr) 的整流穩(wěn)健快速體二極管

卓越的門極氧化可靠性

出色的熱性能

更高的雪崩耐量

可使用標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動程序

優(yōu)勢

高性能、高可靠性和易用性

實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率

降低系統(tǒng)成本和復(fù)雜性

減小系統(tǒng)尺寸

適用于具有硬換向事件的拓?fù)?/span>

適用于高溫和惡劣的運(yùn)行條件

實(shí)現(xiàn)雙向拓?fù)?/span>

潛在應(yīng)用

服務(wù)器

電信系統(tǒng)

SMPS

太陽能系統(tǒng)

儲能和電池信息

UPS

電動汽車充電

電機(jī)驅(qū)動器

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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