UG4SC075009K4S 750V 8.4m?組合FET在單個(gè)TO-247-4L封裝中集成了750V SiC JFET和低壓Si MOSFET。該設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)常閉開(kāi)關(guān)，同時(shí)受益于超低導(dǎo)通電阻[RDS(on)]和常開(kāi)SiC JFET的穩(wěn)健性。

Qorvo UG4SC組合FET非常適用于電路保護(hù)中的高能量開(kāi)關(guān)。對(duì)于開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換，該器件可單獨(dú)訪(fǎng)問(wèn)JFET和MOSFET，從而增強(qiáng)速度控制并簡(jiǎn)化多個(gè)器件并聯(lián)。

UG4SC075009K4S的規(guī)格：

產(chǎn)品：Combo FET

技術(shù)：SiC

Vf - 正向電壓：1.24 V

Vgs - 柵極-源極電壓：- 20 V, + 25 V

安裝風(fēng)格：SMD/SMT

封裝 / 箱體：TO-247-4

工作溫度：- 55°C 至 + 175°C

系列：UG4S

商標(biāo)：Qorvo

下降時(shí)間：40 ns

Id-連續(xù)漏極電流：106 A

產(chǎn)品類(lèi)型：Discrete Semiconductor Modules

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：8.8 mOhms

上升時(shí)間：25 ns

子類(lèi)別：Discrete and Power Modules

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：114 ns

典型接通延遲時(shí)間：24 ns

Vds-漏源極擊穿電壓：750 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：4.5 V

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