功率 MOSFET IQD005N04NM6CGSC 具有 0.47 mOhm 的低 RDS(on)，同時具有出色的熱性能，便于管理功率損耗。中心柵基底面針對并行化進(jìn)行了優(yōu)化。此外，與包覆封裝相比，雙面冷卻封裝的耗散功率提高了五倍。

特性

最先進(jìn)的 40 V 硅技術(shù)

出色的 FOM

改進(jìn)的散熱性能

超低寄生

最大化芯片/封裝比

中心柵極基底面

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝

優(yōu)勢

最佳開關(guān)性能

傳導(dǎo)損耗最小

快速開關(guān)

降低電壓過沖

提高最大電流能力

需要并聯(lián)的器件更少

5x6 基底面上的 RDS(on)最低

易于熱管理

規(guī)格

FET 類型： N 通道

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）： 40 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 57A (Ta), 597A (Tc)

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 0.49 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 2.8V @ 1.449mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 163 nC @ 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 12000 pF @ 20 V

功率耗散（最大值）： 3W（Ta），333W（Tc）

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）

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