R5F526TFBGFN 器件具有 120 MHz RXv3 內(nèi)核及 512 KB 閃存與 64 KB SRAM，是適用于雙電機(jī)控制和PFC控制的32位微控制器。

規(guī)格：

核心處理器：RXv3

內(nèi)核規(guī)格：32-位

速度：120MHz

連接能力：CANbus，I2C，SCI，SPI，UART/USART

外設(shè)：DMA，LVD，POR，PWM，WDT

I/O 數(shù)：62

程序存儲(chǔ)容量：512KB（512K x 8）

程序存儲(chǔ)器類型：閃存

EEPROM 容量：16K x 8

RAM 大小：64K x 8

電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：2.7V ~ 5.5V

數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器：A/D 19x12b; D/A 2x12b

振蕩器類型：內(nèi)部

工作溫度：-40°C ~ 105°C

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：80-LFQFP（12x12）

封裝/外殼：80-LQFP

說明：

RX26T微控制器產(chǎn)品群是可在單芯片上實(shí)現(xiàn)磁場(chǎng)定向控制 (FOC)雙電機(jī)控制和功率因數(shù)校正 (PFC) 控制的5V兼容產(chǎn)品。它搭載工作頻率為120MHz的RX第三代CPU內(nèi)核“RXv3內(nèi)核”，通過可實(shí)現(xiàn)120MHz讀取操作的高速閃存和三角函數(shù)運(yùn)算單元（TFUv2）實(shí)現(xiàn)超高計(jì)算性能。

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