CY15B102QN-50LHXI是1.8V同步流水線SRAM，配備了QDR II架構(gòu)。QDR II架構(gòu)由兩個獨立的端口組成：讀取端口和寫入端口，用于訪問存儲器陣列。讀取端口有專門的數(shù)據(jù)輸出以支持讀取操作，寫入端口有專門的數(shù)據(jù)輸入以支持寫入操作。QDR II架構(gòu)具有獨立的數(shù)據(jù)輸入和數(shù)據(jù)輸出，以完全消除普通I/O設(shè)備存在的 "周轉(zhuǎn) "數(shù)據(jù)總線的需要。對每個端口的訪問是通過一個共同的地址總線。讀和寫的地址在輸入(K)時鐘的交替上升沿被鎖定。對QDR II讀和寫端口的訪問是完全獨立的。為了最大限度地提高數(shù)據(jù)吞吐量，讀和寫端口都配備了DDR接口。每個地址位置與兩個8位字（CY7C1510KV18）、9位字（CY7C1525KV18）、18位字（CY7C1512KV18）或36位字（CY7C1514KV18）相關(guān)聯(lián)，這些字按順序進(jìn)入或離開器件。由于數(shù)據(jù)可以在兩個輸入時鐘（K和K以及C和C）的每個上升沿傳送到器件中和從器件中傳送出來，因此內(nèi)存帶寬得到了最大化，同時通過消除總線周轉(zhuǎn)而簡化了系統(tǒng)設(shè)計。

CY15B102QN-50LHXI產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器

存儲容量:72 Mbit

組織:2 M x 36

訪問時間:450 ps

最大時鐘頻率:250 MHz

接口類型:Parallel

電源電壓-最大:1.9 V

電源電壓-最小:1.7 V

電源電流—最大值:790 mA

最小工作溫度:- 40 C

最大工作溫度:+ 85 C

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:FBGA-165

存儲類型:QDR

濕度敏感性:Yes

產(chǎn)品類型:SRAM

系列:CY7C1514KV18

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