英飛凌128-Mb HYPERRAM?器件是一種高速CMOS、自刷新DRAM，具有xSPI（八進(jìn)制）接口。該DRAM陣列使用動態(tài)單元，需要定期刷新。器件內(nèi)的刷新控制邏輯在xSPI接口主站（主機(jī)）不主動讀寫存儲器時，管理DRAM陣列的刷新操作。由于主機(jī)不需要管理任何刷新操作，DRAM陣列在主機(jī)看來就像內(nèi)存使用了靜態(tài)單元，無需刷新即可保留數(shù)據(jù)。因此，該存儲器被更準(zhǔn)確地描述為偽靜態(tài)RAM（PSRAM）。

S70KL1283GABHV023產(chǎn)品規(guī)格：

系列： HyperRAM? KL  

存儲器類型： 易失  

存儲器格式： PSRAM  

技術(shù)： PSRAM（偽 SRAM）  

存儲容量： 128Mb  

存儲器組織： 16M x 8  

存儲器接口： SPI - 八 I/O  

時鐘頻率： 200 MHz  

寫周期時間 - 字，頁： 35ns  

訪問時間： 35 ns  

電壓 - 供電： 2.7V ~ 3.6V  

工作溫度： -40°C ~ 105°C（TA）  

安裝類型： 表面貼裝型  

封裝/外殼 ：24-VBGA  

供應(yīng)商器件封裝： 24-FBGA（6x8）

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