IXYH55N120A4器件是一款1200 V  175 A 高速IGBT。該超低功耗VSAT IGBT的晶體管的開關頻率高達5kHz，可根據(jù)降低導通損耗的要求進行優(yōu)化。該IGBT具有高功率密度和低柵極驅(qū)動要求等優(yōu)勢，工作溫度范圍為-55°C至175°C。

產(chǎn)品規(guī)格：

IGBT 類型：PT

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：175 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)：350 A

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：1.8V @ 15V，55A

功率 - 最大值：650 W

開關能量：2.3mJ（開），5.3mJ（關）

輸入類型：標準

柵極電荷：110 nC

25°C 時 Td（開/關）值：23ns/300ns

測試條件：600V，40A，5 歐姆，15V

反向恢復時間 (trr)：35 ns

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-247-3

供應商器件封裝：TO-247（IXTH）

基本產(chǎn)品編號：IXYH55

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