IPT015N10NF2SATMA1（100V）StrongIRFET? 2功率MOSFET是N溝道、正常電平、100%經(jīng)過雪崩測試的MOSFET。Infineon StrongIRFET 2 MOSFET優(yōu)化用于各種應(yīng)用。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：100 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：35A（Ta），315A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：1.5 毫歐 @ 150A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 267μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：242 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：11000 pF @ 50 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），300W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-HSOF-8

封裝/外殼：8-PowerSFN

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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