SCTWA40N120G2V-4器件是一款1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管，它采用ST的先進第二代SiC MOSFET技術(shù)，具有極低的導通電阻，顯著降低了能量損耗?。SCTWA40N120G2V-4適用于各種工業(yè)應用，包括工業(yè)電機控制和電源轉(zhuǎn)換器等?。

技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品：SCTWA40N120G2V-4

封裝 / 箱體：HiP247-4

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流：36 A

Rds On-漏源導通電阻：100 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 10 V, + 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：2.45 V

Qg-柵極電荷：61 nC

最小工作溫度：- 55 C

最大工作溫度：+ 200 C

Pd-功率耗散：277 W

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降時間：7.7 ns

封裝：Tube

產(chǎn)品：SiC MOSFETS

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

上升時間：9.8 ns

工廠包裝數(shù)量：600

子類別：Transistors

技術(shù)：SiC

典型關(guān)閉延遲時間：21.8 ns

典型接通延遲時間：12.9 ns

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