1ED21271S65F EiceDRIVER? 650 V 高壓側(cè)單通道柵極驅(qū)動器 IC，具有典型的 4 A 拉電流和 4 A 灌電流，其采用 DSO-8 封裝，適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET。

技術(shù)規(guī)格

型號：1ED21271S65F

驅(qū)動配置：高邊

通道類型：單路

驅(qū)動器數(shù)：1

柵極類型：SiC MOSFET

電壓 - 供電：7.2V ~ 22V

邏輯電壓 - VIL，VIH：0.8V，2.4V

電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：4A，4A

輸入類型：非反相

高壓側(cè)電壓 - 最大值（自舉）：650 V

上升/下降時間（典型值）：12ns，12ns

工作溫度：-40°C ~ 125°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：PG-DSO-8

應(yīng)用場景

1ED21271S65F廣泛應(yīng)用于電機控制和驅(qū)動、輕型電動車、通用電機驅(qū)動、變頻變壓、無刷直流電機（BLDC）、永磁同步電機（PMSM）和交流感應(yīng)電機（ACIM）等領(lǐng)域?。特別是在5kW交錯調(diào)制圖騰柱PFC應(yīng)用中，該芯片與 SiC MOSFET 結(jié)合使用，實現(xiàn)了高效能和可靠性?。

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