S25FL128LAGMFM000 128Mb NOR閃存器件采用65nm工藝光刻和浮柵技術(shù)。FL-L系列為QIO和QPI使用雙數(shù)據(jù)速率(DDR)讀命令，它在時鐘的兩端傳輸?shù)刂泛妥x取數(shù)據(jù)。該體系結(jié)構(gòu)提供了一個頁面編程緩沖區(qū)，允許在一次操作中最多編程256個字節(jié)。該體系結(jié)構(gòu)還提供了單獨(dú)的4KB扇區(qū)、32KB半塊、64KB塊或整個芯片擦除。FL-L NOR Flash為各種移動或嵌入式應(yīng)用程序提供了高密度、靈活性和快速性能。

產(chǎn)品規(guī)格：

存儲器類型：非易失

存儲器格式：閃存

技術(shù)：FLASH - NOR

存儲容量：128Mb

存儲器組織：16M x 8

存儲器接口：SPI - 四 I/O，QPI

時鐘頻率：133 MHz

寫周期時間 - 字，頁：-

電壓 - 供電：2.7V ~ 3.6V

工作溫度：-40°C ~ 125°C（TA）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：16-SOIC

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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