FGB5065G2-F085是一款 IGBT 器件，由（onsemi）生產(chǎn)，具有以下關鍵參數(shù)：
IGBT 類型：-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：78 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：2.15V @ 10V，50A
功率 - 最大值：300 W
開關能量：-
輸入類型：邏輯
柵極電荷：40 nC
25°C 時 Td（開/關）值：-/6.7μs
測試條件：300V，6.5A，470 歐姆，5V
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等級：汽車級
資質(zhì)：AEC-Q101
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：D2PAK
這些參數(shù)使得FGB5065G2-F085適用于各種需要高效能量轉(zhuǎn)換和高電流處理的應用場景，特別是在工業(yè)自動化和耐用的電子設備中表現(xiàn)出色。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)是應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨…
NXH600N105H7F5S2HG
NXH600N105H7F5S2HG是功率集成模塊（PIM），包含一個 I 型 NPC 三電平逆變器，帶有 1050V FS7 IGBT、1050V 極快二極管和 1200V SiC 二極管。該模塊包含一個 NTC 熱敏電阻。NXH600N105H7F5S2HG 特征? I 型中性點鉗位三電平逆變器模塊? 1050 V 場截止器 7 IGBT? 低電感布…
NXH600N105H7F5P2HG
NXH600N105H7F5P2HG是功率集成模塊（PIM），包含一個 I 型 NPC 三電平逆變器，帶有 1050V FS7 IGBT、1050V 極快二極管和 1200V SiC 二極管。該模塊包含一個 NTC 熱敏電阻。NXH600N105H7F5P2HG具有以下主要特性：? I 型中性點鉗位三電平逆變器模塊? 1050 V 場截止器 7 I…
NXH500B100H7Q2F2PHG
NXH500B100H7Q2F2PHG 是一個雙通道飛跨電容升壓模塊。每個通道包含兩個 1000 V、500 A IGBT 和兩個 1200 V、120 A SiC 二極管。該模塊包含一個 NTC 熱敏電阻。以下是NXH500B100H7Q2F2PHG 的主要特點和應用：特征? 飛跨電容升壓模塊? 1000 V 場截止 7 IGBT 和 1200 V Si…
NXH500B100H7F5SHG
NXH500B100H7F5SHG 是一個雙通道飛跨電容升壓模塊。每個通道包含兩個 1000 V、500 A IGBT 和兩個 1200 V、120 A SiC 二極管。該模塊包含一個 NTC 熱敏電阻。該模塊具有以下技術參數(shù)：IGBT 類型：溝槽型場截止配置：三級反相器電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1000 V電流 - …
NXVF6532M3TG01
NXVF6532M3TG01是一款用于 OBC 的650 V、SiC 功率模塊，由（onsemi）生產(chǎn)。該模塊的導通電阻為32mΩ，具有溫度感應功能，熱阻最低，適用于 xEV 中的 DC-DC 和車載充電器。主要特征? 帶 Al2O3 DBC 的 650 V 32 m SiC MOSFET 模塊? 帶 SIP 的 H 橋，用于車載充電器 （OBC…
FGB5056G2-F085
FGB5056G2-F085是一款560V N 溝道點火 IGBT，用于 PTC 加熱器和大電流系統(tǒng)應用。該器件由（onsemi）生產(chǎn)，具有以下規(guī)格：IGBT 類型：-電壓 - 集射極擊穿（最大值）：560 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：80 A不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 10V，50A功率 - 最…電話咨詢：86-755-83294757
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