產(chǎn)品概述：

A2F200M3F-1CS288I SmartFusion片上系統(tǒng)(SoC)FPGA是唯一集成FPGA結(jié)構(gòu)、Arm Cortex -M3處理器和可編程模擬電路的器件，提供完全定制和ip保護(hù)的優(yōu)勢(shì)，同時(shí)仍然易于使用。

SmartFusion SoC FPGA基于專(zhuān)有閃存工藝，非常適合需要真正的SoC解決方案的硬件和嵌入式設(shè)計(jì)人員，這種解決方案比傳統(tǒng)的固定功能微控制器具有更大的靈活性，而沒(méi)有傳統(tǒng)FPGA上軟處理器內(nèi)核的過(guò)高成本。

特征：

微控制器系統(tǒng)（MSS）：

100 MHz 的 32 位 ARM? Cortex?-M3，零等待狀態(tài)存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn) 1.25 DMIPS/MHz 吞吐量

存儲(chǔ)器保護(hù)單元（MPU）

單周期乘法，硬件除法

JTAG 調(diào)試（四線），串行線調(diào)試（SWD–雙線）和單線瀏覽器（SWV）接口

嵌入式 Flash 存儲(chǔ)器（eNVM），64K 字節(jié)～512K 字節(jié)

嵌入式高速 SRAM（eSRAM），16K 字節(jié)～64K 字節(jié)，含 2 個(gè)物理塊，2 個(gè)不同主機(jī)可同時(shí)訪問(wèn)它

片上存儲(chǔ)器的帶寬最高可達(dá) 16 Gbps

帶 RMII 接口的 10/100 以太網(wǎng) MAC

可編程的外部存儲(chǔ)器控制器

異步存儲(chǔ)器

NOR Flash，SRAM，PSRAM

同步 SRAM

兩個(gè) I2C 外設(shè)

兩個(gè) 16550 UART

兩個(gè) SPI 外設(shè)

兩個(gè) 32 位定時(shí)器

32 位看門(mén)狗定時(shí)器

8 通道 DMA 控制器

1.5 MHz～20 MHz 主振蕩器

電池供電的、帶實(shí)時(shí)計(jì)數(shù)器（RTC）的 32 KHz 低功率振蕩器

精度為 1%的 100 MHz 嵌入式 RC 振蕩器

帶 4 個(gè)輸出相位的嵌入式 PLL

高性能FPGA：

采用基于 Flash 的、130nm、7 層金屬的 CMOS 工藝

非易失，斷電時(shí)保留程序

350 MHz 系統(tǒng)性能

嵌入式 SRAM 與 FIFO

SRAM block 的長(zhǎng)寬比可調(diào)節(jié)

可選用×1，×2，×4，×9 與×18 組合

真實(shí)雙端口 SRAM（×18 組合除外）

可編程的嵌入式 FIFO 控制邏輯

通過(guò) JTAG 采用 128 位高級(jí)加密標(biāo)準(zhǔn)（AES）解密技術(shù)實(shí)現(xiàn)安全 ISP

采用 FlashLock 技術(shù)保護(hù) FPGA 內(nèi)容

5 個(gè)時(shí)鐘調(diào)節(jié)電路（CCC）模塊，每個(gè)模塊最多可帶 2 個(gè)集成模擬 PLL

相移、分頻/倍頻、延時(shí)等均可配置

頻率：輸入為 1.5～350 MHz，輸出為 0.75～350 MHz

可編程模擬前端（AFE）：

最多可包含 3 個(gè) 12 位 SAR ADC

12 位模式時(shí)的速率為 500 Ksps

8 位和 10 位模式時(shí)的速率為 600 Ksps

2.56V 內(nèi)部參考電壓或者外部參考電壓

每個(gè) ADC 包含一個(gè)一級(jí) Sigma-Delta（Σ- ）DAC

12 位 500 Ksps 更新速率

每個(gè)器件最多可包含 5 個(gè)新的高性能模擬信號(hào)調(diào)節(jié)模塊（SCB），每個(gè)模塊包括：

2 個(gè)高電壓雙極電壓監(jiān)控器（4 個(gè)輸入的電壓為±2.5V～－11.5/＋14V），精度為 1%

高增益電流監(jiān)控器，差分增益=50，共模電壓高達(dá) 14V

溫度監(jiān)控器（12 位模式時(shí)的分辨率=1/4℃；準(zhǔn)確溫度范圍是-55℃～150℃）

多達(dá) 10 個(gè)高速比較器（tpd = 50ns）