ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產(chǎn)。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優(yōu)異的電流容量和開關(guān)特性，因此在工業(yè)設(shè)備、車載設(shè)備以及需要支持大功率的應用領(lǐng)域被越來越多地采用。此次，ROHM將封裝工…
ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產(chǎn)。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優(yōu)異的電流容量和開關(guān)特性，因此在工業(yè)設(shè)備、車載設(shè)備以及需要支持大功率的應用領(lǐng)域被越來越多地采用。此次，ROHM將封裝工序外包給了作為半導體后道工序供應商（OSAT）擁有豐富業(yè)績的日月新半導體（威海）有限公司（ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.，以下簡稱“ATX”）。
為了實現(xiàn)無碳社會，“提高用電量占全球一大半的電源和電機的效率”已成為全球性的社會問題。功率元器件是提高其效率的關(guān)鍵，SiC（碳化硅）、GaN等新材料有望進一步提高各種電源的效率。ROHM于2023年4月將650V耐壓的第1代GaN HEMT投入量產(chǎn)，并于2023年7月將柵極驅(qū)動器和650V耐壓GaN HEMT一體化封裝的Power Stage IC投入量產(chǎn)。為了應對大功率應用中的進一步小型、高效率化的市場要求，ROHM采取在以往的DFN8080封裝基礎(chǔ)上追加的形式來強化650V GaN HEMT的封裝陣容。在TOLL封裝中內(nèi)置第2代元件并實現(xiàn)產(chǎn)品化。
新產(chǎn)品在TOLL封裝內(nèi)置第2代GaN on Si芯片，在與導通電阻和輸入電容相關(guān)的器件性能指標 (RDS（ON）×Qoss*2) 方面，數(shù)值表現(xiàn)達到業(yè)界先進水平。這將有助于需要高耐壓且高速開關(guān)的電源系統(tǒng)進一步節(jié)能和小型化。新產(chǎn)品已于2024年12月投入量產(chǎn)（樣品價格 3,000日元/個，不含稅），并已開始電商銷售，通過電商平臺均可購買。
關(guān)于新產(chǎn)品的量產(chǎn)，ROHM利用其在垂直統(tǒng)合型一體化生產(chǎn)體系中所積累的元器件設(shè)計技術(shù)和自有優(yōu)勢，進行了相關(guān)的設(shè)計和規(guī)劃，并于2024年12月10日宣布作為與臺積電（Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited，以下簡稱“TSMC”）合作的一環(huán)，前道工序在TSMC生產(chǎn)，后道工序在ATX生產(chǎn)。另外，ROHM還計劃與ATX合作生產(chǎn)車載GaN器件。預計從2026年起，GaN器件在汽車領(lǐng)域的普及速度將會加快，ROHM計劃在加強內(nèi)部開發(fā)的同時，進一步加深與這些合作伙伴之間的關(guān)系，以加快車載GaN器件投入市場的速度。
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