深圳市明佳達電子有限公司原裝正品英飛凌閃存芯片_S79FL512SDSMFBG03_NOR Flash 存儲器 IC 512Mb SPI - 四 I/O 80 MHz 16-SOIC一般說明S79FL512SDSMFBG03器件用單個 CS# 連接兩個四路 I/O SPI 器件，形成八位 I/O 數(shù)據(jù)路徑。這種字節(jié) I/O 接口稱為雙四路 I/O。這些器件通…
深圳市明佳達電子有限公司原裝正品英飛凌閃存芯片_S79FL512SDSMFBG03_NOR Flash 存儲器 IC 512Mb SPI - 四 I/O 80 MHz 16-SOIC
一般說明
S79FL512SDSMFBG03器件用單個 CS# 連接兩個四路 I/O SPI 器件，形成八位 I/O 數(shù)據(jù)路徑。這種字節(jié) I/O 接口稱為雙四路 I/O。這些器件通過 SPI 連接到主機系統(tǒng)。支持傳統(tǒng)的 SPI 單位串行輸入和輸出（IO1 和 IO5），以及四位（Quad I/O 或 QIO）串行命令。這種多寬度接口稱為 SPI 多 I/O 或 MIO。此外，這兩款器件還增加了對 QIO 的 DDR 讀取命令的支持，可在時鐘的兩個邊沿上傳輸?shù)刂泛妥x取數(shù)據(jù)。Eclipse 架構具有一個頁面編程緩沖區(qū)，允許在一次操作中編程多達 256 個字（512 字節(jié)）或 512 個字（1024 字節(jié)），從而使有效編程（分別高達 2 MB/s 或 3 MB/s）和擦除（高達 1 MB/s）的速度大大快于上一代 SPI 編程或擦除算法。直接從閃存執(zhí)行代碼通常稱為就地執(zhí)行（XIP）。通過以支持的更高時鐘速率使用 S79FL-S 器件和 QIO 或 DDR-QIO 命令，指令讀取傳輸速率可以達到或超過傳統(tǒng)的并行接口、異步、NOR 閃存，同時大幅減少信號數(shù)量。S79FL-S 產(chǎn)品具有高密度和各種嵌入式應用所需的最快讀寫性能。它們是代碼陰影、XIP 和數(shù)據(jù)存儲的理想選擇。
產(chǎn)品屬性
存儲容量: 512 Mbit
電源電壓-最小: 2.7 V
電源電壓-最大: 3.6 V
有源讀取電流（最大值）: 180 mA
接口類型: SPI
最大時鐘頻率: 80 MHz
組織: 64 M x 8
數(shù)據(jù)總線寬度: 8 bit
定時類型: Asynchronous
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 105 C
主要特點
高可靠性：支持工業(yè)級溫度范圍，適合嚴苛環(huán)境。
快速讀取性能：提供高速數(shù)據(jù)訪問，滿足實時處理需求。
低功耗設計：適合電池供電或低功耗應用。
兼容性強：支持與多種微控制器和處理器直接連接。
長壽命：支持高擦寫次數(shù)，適合頻繁更新的應用場景。
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