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最新資訊深圳市明佳達(dá)電子有限公司供求 ADI 半橋 柵極驅(qū)動(dòng)器 IC A89500GEJTR 非反相 10-DFN（3x3）。詳細(xì)：A89500GEJTR 100V半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于控制以半橋布置連接的MOSFET，橋電壓最高100V。具體而言，引領(lǐng)大功率電感負(fù)載應(yīng)用，比如有刷直流電機(jī)、螺線(xiàn)管和執(zhí)行器，同時(shí)兼…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司供求 ADI 半橋 柵極驅(qū)動(dòng)器 IC A89500GEJTR 非反相 10-DFN（3x3）。
詳細(xì)：
A89500GEJTR 100V半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于控制以半橋布置連接的MOSFET，橋電壓最高100V。具體而言，引領(lǐng)大功率電感負(fù)載應(yīng)用，比如有刷直流電機(jī)、螺線(xiàn)管和執(zhí)行器，同時(shí)兼容12V、24V和48V電源網(wǎng)絡(luò)。該器件的內(nèi)部邏輯可防止柵極驅(qū)動(dòng)輸出同時(shí)開(kāi)啟，從而消除交叉?zhèn)鲗?dǎo)。每個(gè)MOSFET均由兼容3.3V和5V邏輯的獨(dú)立邏輯電平輸入控制。使用第三個(gè)離散輸入置于低功耗睡眠模式。該驅(qū)動(dòng)器需要一個(gè)8V至15V的單電源來(lái)為柵極驅(qū)動(dòng)器供電。采用10引腳DFN（后綴EJ）封裝，具有可濕性側(cè)翼、外露導(dǎo)熱墊和100%霧錫引線(xiàn)框架電鍍。
特性
半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器
符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)（K版本）
適用于12V、24V和48V電源網(wǎng)絡(luò)
使用高達(dá)100V的橋電壓運(yùn)行
8V至15V的供電電壓
N溝道MOSFET橋的自舉式柵極驅(qū)動(dòng)器
交叉?zhèn)鲗?dǎo)保護(hù)
獨(dú)立MOSFET控制
低功耗睡眠模式
電源欠壓鎖定
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時(shí)間：2025-05-17
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