STW14NK50Z：意法半導體SuperMESH? N溝道500V/14A功率MOSFET - 明佳達現(xiàn)貨供應原裝正品STW14NK50Z產(chǎn)品概述STW14NK50Z是意法半導體(STMicroelectronics)推出的N溝道功率MOSFET，屬于SuperMESH?系列產(chǎn)品。STW14NK50Z采用TO-247封裝，具有500V的漏源極電壓和14A的連續(xù)漏極…
STW14NK50Z：意法半導體SuperMESH? N溝道500V/14A功率MOSFET - 明佳達現(xiàn)貨供應原裝正品
STW14NK50Z產(chǎn)品概述
STW14NK50Z是意法半導體(STMicroelectronics)推出的N溝道功率MOSFET，屬于SuperMESH?系列產(chǎn)品。STW14NK50Z采用TO-247封裝，具有500V的漏源極電壓和14A的連續(xù)漏極電流能力。STW14NK50Z以其優(yōu)異的開關(guān)性能和可靠性廣泛應用于電源轉(zhuǎn)換和電機驅(qū)動等領(lǐng)域。
作為一款高性能功率MOSFET，STW14NK50Z采用了意法半導體先進的MDmesh?技術(shù)，實現(xiàn)了低導通電阻(0.34Ω)和高開關(guān)速度的完美平衡。STW14NK50Z的柵極驅(qū)動電壓范圍為±30V，閾值電壓為3.75V，適合各種功率開關(guān)應用。
STW14NK50Z主要特性
STW14NK50Z具有多項卓越特性，使其在功率電子設(shè)計中表現(xiàn)出色：
高電壓能力：STW14NK50Z支持500V的漏源極電壓，適用于高壓應用
大電流能力：14A的連續(xù)漏極電流，滿足大多數(shù)功率開關(guān)需求
低導通電阻：僅0.34Ω的RDS(on)，減少導通損耗
快速開關(guān)：16ns的上升時間和12ns的下降時間，提高效率
寬溫度范圍：工作溫度范圍-55℃至150℃，適應嚴苛環(huán)境
集成齊納保護：內(nèi)置齊納二極管，增強器件可靠性
符合環(huán)保標準：STW14NK50Z符合RoHS規(guī)范，無鉛設(shè)計
STW14NK50Z關(guān)鍵參數(shù)
STW14NK50Z的主要技術(shù)參數(shù)如下：
漏源極電壓(VDS)：500 V
連續(xù)漏極電流(ID)：14 A
脈沖漏極電流(IDM)：56 A
導通電阻(RDS(on))：0.34 Ω
輸入電容(Ciss)：2000 pF
柵源擊穿電壓：±30 V
閾值電壓(VGS(th))：3.75 V
功率耗散：150 W
封裝形式：TO-247
STW14NK50Z的這些參數(shù)使其成為高效率電源轉(zhuǎn)換和電機驅(qū)動的理想選擇。
STW14NK50Z典型應用
STW14NK50Z憑借其優(yōu)異的性能參數(shù)，在多個領(lǐng)域都有廣泛應用：
開關(guān)電源：STW14NK50Z可用于AC-DC、DC-DC轉(zhuǎn)換器等開關(guān)電源設(shè)計
電機驅(qū)動：適用于工業(yè)電機、風扇和泵等驅(qū)動電路
照明系統(tǒng)：LED驅(qū)動和HID照明電源的理想選擇
工業(yè)控制：PLC、逆變器和UPS等工業(yè)設(shè)備中的功率開關(guān)
汽車電子：車載充電器和電源管理系統(tǒng)中的功率元件
STW14NK50Z在這些應用中展現(xiàn)了高可靠性、高效率的優(yōu)勢，是工程師設(shè)計功率電路的優(yōu)選器件。
明佳達供應信息
明佳達電子作為專業(yè)電子元器件分銷商，目前備有STW14NK50Z的現(xiàn)貨庫存，所有產(chǎn)品均為原裝正品，提供完整質(zhì)量保證。STW14NK50Z采用TO-247封裝，包裝方式為管裝(Tube)，可滿足客戶從樣品需求到批量生產(chǎn)的各類采購需求。
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