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瑞薩電子推出全新GaN FET系列:TP65H030G4PRS/WS/QS,增強高密度功率轉換能力

瑞薩電子推出全新GaN FET系列:TP65H030G4PRS/WS/QS,增強高密度功率轉換能力

來源:本站時間:2025-07-03瀏覽數(shù):

瑞薩電子今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS,適用于人工智能(AI)數(shù)據(jù)中心和服務器電源(包括新型800V高壓直流架構)、電動汽車充電、不間斷電源電池備份設備、電池儲能和太陽能逆變器。此類第四代增強型(Gen IV P…

瑞薩電子今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS,適用于人工智能(AI)數(shù)據(jù)中心和服務器電源(包括新型800V高壓直流架構)、電動汽車充電、不間斷電源電池備份設備、電池儲能和太陽能逆變器。此類第四代增強型(Gen IV Plus)產品專為多千瓦級應用設計,將高效GaN技術與硅基兼容柵極驅動輸入相結合,顯著降低開關功率損耗,同時保留硅基FET的操作簡便性。新產品提供TOLT、TO-247和TOLL三種封裝選項,使工程師能夠靈活地針對特定電源架構定制熱管理和電路板設計。

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這三款新型產品基于穩(wěn)健可靠的SuperGaN?平臺打造。該平臺采用經(jīng)實際應用驗證的耗盡型(d-mode)常關斷架構,由Transphorm公司(瑞薩已于2024年6月收購該公司)首創(chuàng)。與硅基、碳化硅(SiC)和其它GaN產品相比,基于低損耗耗盡型技術的產品具有更高的效率。此外,它們通過更低的柵極電荷、輸出電容、交叉損耗和動態(tài)電阻影響,以最大限度地減少功率損耗,并具備更高的4V閾值電壓——這是當前增強型(e-mode)GaN產品所無法達到的性能。


新型Gen IV Plus產品比上一代Gen IV平臺的裸片小14%,基于此實現(xiàn)30毫歐(mΩ)的更低導通電阻(RDS(on)),較前代產品降低14%,并且在導通電阻與輸出電容乘積這一性能指標(FOM)上提升20%。更小的裸片尺寸有助于降低系統(tǒng)成本,減少輸出電容,進而提升效率和功率密度。這些優(yōu)勢使Gen IV Plus產品成為對成本敏感且對散熱要求較高應用的理想選擇,特別是在需要高性能、高效率和緊湊體積的場景中。它們與現(xiàn)有設計完全兼容,便于升級,同時保護已有的工程投入。


這些產品采用緊湊型TOLT、TO-247和TOLL封裝,為1kW至10kW的電源系統(tǒng)提供廣泛的封裝選擇,滿足熱性能與布局優(yōu)化的要求,還可并聯(lián)更高功率的電源系統(tǒng)。新型表面貼裝封裝包括底部散熱路徑(TOLL)和頂部散熱路徑(TOLT),有助于降低外殼溫度,方便在需要更高導通電流時進行器件并聯(lián)。此外,常用的TO-247封裝為客戶帶來更高的熱容量,以實現(xiàn)更高的功率。


Primit Parikh, Vice President of the GaN Business Division at Renesas表示:“Gen IV Plus GaN產品的成功發(fā)布,標志著瑞薩自去年完成對Transphorm的收購后,在GaN技術領域邁出具有里程碑意義的第一步。未來,我們將深度融合經(jīng)市場場驗證的SuperGaN技術與瑞薩豐富的驅動器及控制器產品陣容,致力于打造完整的電源解決方案。這些產品不僅可作為獨立FET使用,更能與瑞薩控制器或驅動器產品集成到完整的系統(tǒng)解決方案設計中,這一創(chuàng)新組合將為設計者提供更高功率密度、更小體積、更高效率,且總系統(tǒng)成本更低的產品設計方案。”


獨特的耗盡型常關斷設計,實現(xiàn)可靠性與易集成性


與此前的耗盡型GaN產品一樣,瑞薩全新GaN產品采用集成低壓硅基MOSFET的獨特配置,擁有無縫的常關斷操作,同時充分發(fā)揮高電壓GaN在低損耗和高效率開關方面的優(yōu)勢。由于其輸入級采用硅基FET,SuperGaN FET可以使用標準現(xiàn)成的柵極驅動器進行驅動,而無需通常增強型GaN所需的專用驅動器。這種兼容性既簡化設計流程,又降低系統(tǒng)開發(fā)者采用GaN技術的門檻。


為滿足電動汽車(EV)、逆變器、AI數(shù)據(jù)中心服務器、可再生能源和工業(yè)功率轉換等領域的高要求,基于GaN的開關產品正迅速成為下一代功率半導體的關鍵技術。與SiC和硅基半導體開關產品相比,它們具有更高的效率、更高的開關頻率,和更小的尺寸。


瑞薩在GaN市場上獨具優(yōu)勢,提供涵蓋高功率與低功率的全面GaN FET解決方案,這與其它許多僅在低功率段取得成功的廠商形成鮮明對比。豐富的產品組合使瑞薩能夠滿足更廣泛的應用需求和客戶群體。截至目前,瑞薩已面向高、低功率應用出貨超過2,000萬顆GaN器件,累計現(xiàn)場運行時間超過300億小時。


供貨信息

TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS,以及4.2kW圖騰柱PFC GaN評估平臺(RTDTTP4200W066A-KIT)現(xiàn)已上市。


感受瑞薩動力

以創(chuàng)新、品質與可靠性為核心驅動,瑞薩引領功率電子行業(yè)的發(fā)展,每年出貨量超過40億顆組件,產品組合包括電源管理IC、分立和寬帶隙GaN產品、計算功率器件等。這些產品覆蓋汽車、物聯(lián)網(wǎng)、基礎設施和工業(yè)應用等所有主要市場。瑞薩的功率產品組合無縫對接其領先的MCU、MPU、SoC與模擬解決方案,借助數(shù)百種經(jīng)工程驗證的“成功產品組合(Winning Combinations)”以及PowerCompass?和PowerNavigator?等創(chuàng)新設計工具,顯著簡化并加速了客戶設計流程。

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