最新資訊Nexperia近日宣布，在其持續(xù)壯大的功率電子器件產(chǎn)品組合中新增兩款1200 V、20 A碳化硅(SiC)肖特基二極管。PSC20120J和PSC20120L專(zhuān)為滿足工業(yè)應(yīng)用中對(duì)超低功耗整流器的需求而設(shè)計(jì)，可在高能效能量轉(zhuǎn)換場(chǎng)景中發(fā)揮關(guān)鍵作用。這類(lèi)器件尤其適用于高功率人工智能(AI)服務(wù)器基礎(chǔ)…
Nexperia近日宣布，在其持續(xù)壯大的功率電子器件產(chǎn)品組合中新增兩款1200 V、20 A碳化硅(SiC)肖特基二極管。PSC20120J和PSC20120L專(zhuān)為滿足工業(yè)應(yīng)用中對(duì)超低功耗整流器的需求而設(shè)計(jì)，可在高能效能量轉(zhuǎn)換場(chǎng)景中發(fā)揮關(guān)鍵作用。這類(lèi)器件尤其適用于高功率人工智能(AI)服務(wù)器基礎(chǔ)設(shè)施和電信設(shè)備電源及太陽(yáng)能逆變器的應(yīng)用。
新款肖特基二極管具備不受溫度影響的容性開(kāi)關(guān)和零恢復(fù)性能，提供先進(jìn)的性能以及出色的品質(zhì)因數(shù)(QC x VF)。此外，其開(kāi)關(guān)性能幾乎不受電流和開(kāi)關(guān)速度變化的影響。這些器件采用的合并PiN肖特基(MPS)結(jié)構(gòu)帶來(lái)更多優(yōu)勢(shì)，例如憑借高峰值正向電流(IFSM)展現(xiàn)出卓越的浪涌電流耐受能力。這一特性減少了對(duì)額外保護(hù)電路的需求，顯著降低系統(tǒng)復(fù)雜度，使工程師能夠在高壓應(yīng)用中以更小尺寸實(shí)現(xiàn)更高效率。
PSC20120J采用真雙引腳D2PAK R2P (TO-263-2)表面貼裝(SMD)功率塑料封裝，而PSC20120L則采用真雙引腳TO247 R2P (TO-247-2)通孔功率塑料封裝。這些熱穩(wěn)定封裝可在高達(dá)175℃的工作溫度下提升器件在高壓應(yīng)用中的可靠性。作為高品質(zhì)半導(dǎo)體產(chǎn)品的成熟制造商，Nexperia憑借強(qiáng)大供應(yīng)鏈支持的多種半導(dǎo)體技術(shù)贏得市場(chǎng)信賴(lài)，這進(jìn)一步為設(shè)計(jì)者提供了保障。
欲了解有關(guān)Nexperia SiC肖特基二極管產(chǎn)品組合的更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：www.nexperia.cn/products/diodes/silicon-carbide-sic-schottky-diodes關(guān)于Nexperia
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時(shí)間：2025-07-12
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