8月5日消息，8月28日到30日，英飛凌（Infineon）亮相于深圳舉辦的 “2024深圳國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)（以下簡(jiǎn)稱PCIM Asia）”，圍繞“數(shù)字低碳，共創(chuàng)未來(lái)”的品牌愿景，英飛凌展示了廣泛的硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率電子產(chǎn)品組合，其中多款應(yīng)用于可再生能源、電動(dòng)交通、智能家居的產(chǎn)品和解決方案首次亮相。電子發(fā)燒友記者現(xiàn)場(chǎng)探館，和大家分享一下現(xiàn)場(chǎng)所見(jiàn)。

在PCIM展上，英飛凌展出了三款氮化鎵功率器件解決方案。一是雷蛇280W氮化鎵充電器；二是英飛凌中壓氮化鎵馬達(dá)驅(qū)動(dòng)方案；三是650V CoolGaN?雙向開關(guān)BDS演示版。

現(xiàn)場(chǎng)工作人員介紹，這款雷蛇280W淡化及充電器采用英飛凌GaN芯片，GaN充電器為筆記本電腦游戲市場(chǎng)帶來(lái)新增長(zhǎng)動(dòng)力，英飛凌的氮化鎵芯片令適配器更小、更輕、更強(qiáng)大和更加環(huán)保，該適配器使用兩個(gè)GS-065-030-2-L GaN晶體管。

今年，人形機(jī)器人賽道大熱，隨著人形機(jī)器人的快速發(fā)展，高功率密度的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品需求日益旺盛。基于原有的硅基半導(dǎo)體開關(guān)器件所設(shè)計(jì)的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)，在提高功率密度方案有較大挑戰(zhàn)，借助英飛凌推出的中壓氮化鎵馬達(dá)驅(qū)動(dòng)方案，可以將開關(guān)頻率從20KHz提高到100KHz，進(jìn)而大幅度提升功率密度。而且開關(guān)頻率的提升有助于改善電機(jī)和減速器性能，從而提高整機(jī)的系統(tǒng)效率。

現(xiàn)場(chǎng)，英飛凌650V 雙向開關(guān)(BDS)氮化鎵產(chǎn)品引起記者的注意。這款產(chǎn)品是業(yè)內(nèi)首款雙向開關(guān)概念器件，在拓?fù)涞葢?yīng)用領(lǐng)域，通過(guò)一顆CoolGaN? BDS就可以實(shí)現(xiàn)之前四顆芯片才能完成的功能，簡(jiǎn)化客戶傳統(tǒng)的雙邊開關(guān)復(fù)雜電路設(shè)計(jì)，大幅提升性能和優(yōu)化成本。該產(chǎn)品可應(yīng)用于包括服務(wù)器中的母板和UPS、消費(fèi)電子中的OVP和USB-OTG、電動(dòng)工具中的電池管理等。這款產(chǎn)品在智能家居、工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用非常廣泛。

在PCIM展會(huì)上，英飛凌展出了TRENCHSTOP IGBT7 PrimePACK 3+1200V半橋模塊，PrimPACK3+ 2300V 1800A IGBT7模塊，現(xiàn)場(chǎng)工作人員表示，IGBT7技術(shù)比較上一代技術(shù)開關(guān)損耗小，由于IGBT7采用12吋晶圓，成本優(yōu)勢(shì)明顯。以采用微溝槽技術(shù)1200V TRENCHSTOP? IGBT7 芯片的62mm 模塊系列為例，其靜態(tài)損耗遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于搭載 IGBT4 芯片組的模塊。這些特性大大降低了應(yīng)用中的損耗，在以中等開關(guān)頻率工作的工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中尤為顯著。這些產(chǎn)品主要應(yīng)用場(chǎng)景包括兆瓦級(jí)集中式光伏逆變器及儲(chǔ)能、不間斷電源(UPS) 、通用電機(jī)驅(qū)動(dòng)和新興應(yīng)用固態(tài)斷路器。

還有，針對(duì)AI服務(wù)器54V輸出平臺(tái)，英飛凌開發(fā)的3.3kW PSU專用Demo板，采用了英飛凌的CoolGaN?、CoolSiC?、CoolMOS?設(shè)計(jì)，以及英飛凌自有的控制芯片XMC系列等完整的解決方案，可實(shí)現(xiàn)整機(jī)基準(zhǔn)效率97.5%，功率密度高達(dá)96W每英寸立方，解決數(shù)據(jù)中心PSU高功率需求。